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HBT 的構造
「異質雙極性接面電晶體（HBT：Heterojunction Bipolar Transistor）」簡稱「HBT」，依照不同的導電特性又可以分為 NPN-HBT、PNP-HBT 二種：
➤NPN-HBT：NPN-HBT 的構造如 ＜圖一（a）＞ 所示，在砷化鎵基板上分別製作 N 型砷化鎵、P 型砷化鎵、N 型砷化鋁鎵三個水溝，最後分別在上方蒸鍍金屬電極，左邊的金屬稱為「射極（Emitter）」，中間的金屬稱為「基極（Base）」，右邊的金屬稱為「集極（Collector）」。HBT 構造與 BJT 相同，只是將左邊射極（Emitter）的材料換成 N 型「砷化鋁鎵」。
➤PNP- HBT：PNP-HBT 的構造如 ＜圖一（b）＞ 所示，與 NPN-HBT 相同，但是 N 型與 P 型區域相反，因此導電特性相反。
圖一 HBT 的構造
HBT 放大器（HBT amplifier）
HBT 放大器的工作原理如 ＜圖二＞ 所示，將「較小的電壓或電流（小訊號）」輸入基極（Base），由於 HBT 的元件特性會使訊號放大，轉變成「較大的電壓或電流（大訊號）」由集極（Collector）輸出，這就是「類比積體電路」工作的基本原理。其實 BJT 同樣可以應用在「數位積體電路」，但是當 HBT 應用在數位積體電路時並不稱為「開關」，而是將數個 HBT 連接在一起形成「HBT 邏輯電路」，最常見的包括 DTL 電路、TTL 電路、ECL 電路等，但是由於耗電量較大，目前大部分已經被 CMOS 製作的積體電路（IC）取代了。
圖二 HBT 放大器的工作原理
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《知識力》授權轉載
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