記憶體產業趨勢分析！記憶體概念股可以投資嗎？

記憶體產業屬於半導體領域中極為重要且波動性明顯的一環，直接影響著電腦、手機、數據中心及 AI 運算等眾多下游應用。近年來，隨著人工智慧（AI）、5G、雲端運算等技術快速發展，對高速與大容量記憶體的需求持續攀升，推動高階記憶體的市場需求。本篇文章將深入分析記憶體產業的關鍵技術與未來趨勢，並提供投資者關於記憶體概念股的分析與建議。

編按：2025/03/06，新聞媒體報導，兩大美商美光、SanDisk，雙雙發出漲價通知，兩大廠商預計自4月1日起調整產品價格，漲幅超過 10％。根據券商的供應鏈調查，實際上 SanDisk 宣布漲價是 NAND  Flash，不是 DRAM，至於美光是否有具體漲價的細節還需再確認。

記憶體是什麼？

記憶體（Memory）是電子設備中用於儲存數據和指令的重要組件，廣泛應用於電腦、手機、伺服器等設備，它就像設備的「短期記憶」或「長期記憶」，負責暫時儲存正在處理的數據，或長期保存重要的資訊。根據是否能在斷電後保留數據，記憶體可分為兩大類：斷電後資料仍留存「非揮發性記憶體（Non-Volatile Memory）」，和切斷電源後資料會消失「揮發性記憶體（Volatile Memory）」。

• 揮發性記憶體：用於暫時儲存數據和指令，供 CPU 快速存取，斷電後數據會消失，例如 RAM（隨機存取記憶體），常見的 RAM 類型包括 DRAM（動態隨機存取記憶體）和 SRAM（靜態隨機存取記憶體）。
• 非揮發性記憶體：用於長期儲存數據，斷電後數據仍能保留，例如快閃記憶體（Flash Memory），又分為 NANDd Flash 和 NOR Flash。

簡單來說，揮發性記憶體像短期記憶，處理即時任務；非揮發性記憶體像長期記憶，保存重要資料。兩者互補，共同支撐電子設備的運作。接下來，將詳細介紹文中提到的四種記憶體類型：NAND Flash、NOR Flash、DRAM 和 HBM。

NAND Flash 是什麼？

NAND Flash 是一種非揮發性記憶體，即使斷電後數據也不會丟失，屬於快閃記憶體（Flash Memory）的一種類型，它因內部的 NAND 邏輯閘結構而得名，這種結構實現了高密度數據儲存並具有較低的單位儲存成本，非常適合用於長期儲存數據。

簡單說，NAND Flash 就像一個「超大型數位倉庫」，專門用超低成本，大量放入你的資料（照片、影片、遊戲），斷電也不會消失，但管理麻煩，適合「量大管飽」的儲存需求。

NAND Flash 根據每個儲存單元（Cell）儲存的位元數量分為：

• SLC（Single-Level Cell）：每單元存儲  1  位元，速度快、壽命長（10 萬次擦寫），但成本高，主要應用在早期高階應用，如工業級儲存裝置。
• MLC（Multi-Level Cell）：每單元存儲 2 位元，成本較低，但壽命較短（約 3 千– 1 萬次），主要應用在消費性電子產品，如手機、SSD。
• TLC（Triple-Level Cell）：每單元存儲 3 位元，成本更低，壽命約 500–3 千次，需搭配更強糾錯技術（ECC），主要應用在主流消費級 SSD、記憶卡。
• QLC（Quad-Level Cell）：每單元存儲 4 位元，容量最大化，但壽命僅約 100–1 千次，主要應用在大容量儲存需求，如雲端儲存、歸檔資料。

NOR Flash 是什麼？

NOR Flash 是一種非揮發性記憶體，與 NAND Flash 同屬快閃記憶體（Flash Memory）家族，但其內部結構和應用場景截然不同，它的儲存單元以並聯方式連接，允許直接存取每個位元組，類似於 RAM 的工作方式。這一特性使其支援「就地執行」（Execute in Place, XIP），即無需將資料載入 RAM 即可運行程式碼。

簡單說，NOR Flash 就像一個「即開即用的程式碼保險箱」，專門用來存放設備「一通電就要立刻執行」的關鍵程式（例如手機開機指令、汽車煞車系統代碼），而且斷電也不會消失，還能像翻書一樣快速找到任何一頁。

NOR Flash 根據每個儲存單元（Cell）儲存的位元數量分為：

• SLC（Single-Level Cell）：每單元存儲 1 位元，高可靠性，用於工業或汽車領域。
• MLC（Multi-Level Cell）：每單元存儲 2 位元，容量提升但壽命較短，適用消費電子。

NAND Flash 與 NOR Flash 的區別

看完上述可能還是不清楚 NAND Flash 和 NOR Flash 之間的差異，以下簡單白話解釋，

NAND Flash：像「倉庫」：數據像貨物一樣堆疊存放，存取時要「一批一批搬運」（以頁或塊為單位）。

• 優點：容量大、便宜（適合存大量資料）。
• 缺點：無法直接讀取特定位置，速度較慢。
• 總結：大容量倉庫，便宜但管理麻煩，存「資料」。
• 比喻：行車時，NAND Flash 存「地圖資料和音樂」。

NOR Flash：像「書架」：每本書（數據）都有獨立位置，可直接抽出一本閱讀。

• 優點：讀取快、穩定（適合存程式碼，CPU 能直接執行）。
• 缺點：容量小、成本高。
• 總結：精緻工具箱，昂貴但隨拿隨用，存「程式碼」。
• 比喻：行車時，NOR Flash 存「煞車控制程式」，確保即時反應。

DRAM 是什麼？

DRAM（動態隨機存取記憶體，Dynamic Random Access Memory）是一種揮發性記憶體，用於暫時儲存資料和指令，供 CPU 快速存取，它由電容器和電晶體組成，電容器儲存電荷（電荷的有無代表 0 或 1），電晶體控制資料存取。由於電容器會自然放電，DRAM 是「動態」的，需定期刷新（通常每 64 毫秒）以保持資料完整。

至於新聞媒體及券商報告常提到的 DDR 又是什麼呢？

DDR 是什麼？

DDR（雙倍資料速率，Double Data Rate）是 DRAM 的改進版本，全稱 DDR SDRAM（雙倍資料速率同步動態隨機存取記憶體），利用時脈信號的上升沿和下降沿各傳輸一次資料，使資料傳輸速率在相同時脈頻率下翻倍。簡單來說，DDR 是 DRAM 的「高速公路升級版」，將單線道拓寬為雙線道，速度更快、效率更高。

隨著世代演進，DRAM 技術不斷進化，每一代都在速度、功耗和容量上有所提升：

DDR3：傳輸速率 800-2133 MT/s，電壓 1.5V，應用於早期設備。

DDR4：傳輸速率 1600-3200 MT/s，電壓 1.2V，功耗更低且頻寬更高，廣泛用於現代裝置。

DDR5：傳輸速率 3200-6400 MT/s，電壓 1.1V，支援更大容量與更高頻寬，成為當前主流。

HBM 是什麼？

HBM（高頻寬記憶體，High Bandwidth Memory）是一種先進的 DRAM 類型，專為高性能運算設計，提供極高的數據傳輸頻寬，HBM 採用 3D 堆疊技術，將多層 DRAM 晶片垂直堆疊，並通過矽穿孔（TSV, Through-Silicon Via）技術連接，大幅提升數據傳輸速度和效率，同時降低功耗。

簡單來說，HBM（高頻寬記憶體） 就像是記憶體界的「八線道高速公路 + 立體停車場」，用3D 堆疊和超寬通道，把資料傳輸速度飆到極限，專門伺候「吃數據怪獸」如 AI 晶片、頂級顯卡！

廣泛應用於電腦、手機等電子設備中。它主要用於暫時儲存數據，作為系統運行的核心組件，直接影響設備的效能。DRAM的特點是存取速度快，但需要持續供電以保留數據，一旦斷電，數據就會丟失。隨著技術進步，像HBM（高頻寬記憶體）這樣的先進DRAM類型，正被應用於AI等高性能需求領域，主要用於高性能顯卡（GPU）、AI加速器、伺服器和超級電腦等需要大量數據處理的設備，例如機器學習和圖形渲染。

隨著世代演進，DRAM 技術不斷進化，每一代都在速度、功耗和容量上有所提升：

HBM 的世代演進（從 HBM1 到 HBM4）

HBM 與傳統 DRAM 的區別

HBM：頻寬極高（可達數百GB/s）、功耗低、封裝尺寸小。

傳統 DRAM：頻寬較低，功耗較高，封裝尺寸較大。

記憶體產業趨勢

記憶體作為半導體產業中的大宗物資，其供需關係極為密切：供大於求時價格下跌，產業進入寒冬；反之則價格上揚，產業繁榮。

記憶體就產業供應鏈來說，分為上游的原廠、中游的封測廠，以及下游的模組廠和通路商，模組廠和通路商再把成品交給電子代工廠，組裝成終端產品，如家電、通訊和資訊產品，近年來NB、手機、平板和伺服器記憶體的用量都很大，原廠因為是工廠固定成本高，增產和減產比較不靈活，因此售價大部分是合約價，模組廠和通路商是生意人，反應較快，售價大多是現貨價。

在景氣好轉時，終端需求上升促使電子代工廠大量進貨，下游模組廠囤貨使現貨價格走高、獲利超越原廠，進而帶動原廠提高合約價，形成產業榮景。相反，景氣衰退時需求減少，庫存拋售壓低現貨價格、獲利急降，最終使原廠也降低合約價，產業陷入蕭條，以過去經驗，記憶體產業大約三年循環一次。

接下來近一步說明 DRAM 、 NAND Flash近況，

DRAM 產業狀況

未來高階 HBM 的重要性將下降，因 DeepSeek 採用 Multi-head Latent Attention 及 8Bit 浮點運算技術，降低對 LLM 記憶體頻寬與容量需求，高階 DDR5/LPDDR5X 需求則將提升，係因其將受惠 Edge  AI  技術成熟驅動 AI  PC  換機潮之趨勢。在上游原廠對於 DRAM 擴產相對 NAND  Flash 更為積極下，即使需求穩健復甦，仍難以使供過於求的局勢反轉。

本土券商預估 DRAM 供需比 2025Q1、2025Q2 分別為102.5%/100.4%，2025H2 後將逐漸趨於平衡，DRAM 合約價預估將於 2025Q2 止跌，不過目前尚未在 2025 年看到帶動 DRAM 報價上漲之明顯動能，仍要持續關注未來報價狀況。

NAND Flash 產業狀況

隨著 NAND  Flash 堆疊技術進步，QLC（Quad-Level Cell）與TLC（Triple-Level Cell）在相同晶圓面積下能提供的容量差距將擴大，降低了QLC單位成本，進而提升原廠擴產QLC的意願。根據TrendForce預估，消費級 SSD 中 QLC 滲透率將由 2024 年的 26% 上升至 2026 年的 45%，成為主流；而企業級 SSD 方面，隨著 AI 應用從訓練擴展至推論，需求顯著提升，QLC 滲透率預計將從 2024 年的 11.5% 增至 2026 年的 22%。

此外，本土券商調查顯示，NAND Flash上游原廠對 2025 年資本支出相當保守，隨著堆疊層數提高，對蝕刻與沉積設備的需求增加，將壓縮其他支出，限制 2026 年供給提升。

再者，記憶體產業的復甦多由上游原廠減產帶動，自 2024Q4 起，NAND Flash 廠商積極減產以維持供給秩序，並陸續下調 2025 年投片計劃，預期供應緊俏情勢將持續至 2026 年。加上，下游自 2024Q3 起去化庫存，消費性電子在 2024Q3 經過傳統旺季後，預計 2025Q2 轉為回補庫存，從而使 NAND Flash 合約價自 2025Q2 起上漲，漲勢或將持續至年底。

記憶體概念股

基於前段提及產業趨勢，記憶體產業未來有望在2025Q2進入上行週期，投資人可以留意相關記憶體概念股，本段將介紹有哪些值得留意的記憶體概念股。

記憶體概念股：群聯（8299）

群聯成立於 2000 年，總部位於台灣新竹，是一家專注於 NAND Flash 控制晶片 與 儲存解決方案 設計與製造的企業。作為全球領先的 SSD（固態硬碟）控制晶片供應商，群聯的產品廣泛應用於消費電子、工業應用和企業級儲存領域。該公司與多家國際頂尖科技企業合作，憑藉技術創新與市場敏銳度，在全球記憶體產業中佔有一席之地。

投資亮點

• 市場需求成長：隨著資料中心、企業級儲存和消費電子對高速儲存的需求增加，NAND Flash 市場持續擴張，群聯作為關鍵供應商直接受益。
• 技術領先：群聯在 PCIe Gen4 和 Gen5 技術上處於行業前沿，其控制晶片支援高速資料傳輸與低功耗，滿足高效能儲存需求。
• 全球客戶網絡：公司在美國、亞洲等多地設有業務據點，客戶遍佈全球，營收來源多元化，具備穩定的市場基礎

編按：群聯於 2025/3/7 召開 2024Q4 法說會，公司表示 PC、手機、消費性與工控需求均逐月增溫，預期 1 月營收即是全年谷底，且農曆新年後已有兩間上游原廠漲價 9-11%，比市場預期來得早，預期在企業級 SSD 與控制晶片雙引擎帶動下，2025 年營運將強勁增長。

記憶體概念股：宜鼎（5289）

宜鼎成立於 2005 年，總部位於台灣台北，是一家專注於 工業級儲存和記憶體解決方案 的公司。其產品包括工業級 SSD、DRAM 模組及嵌入式周邊設備，應用範圍涵蓋工業自動化、航空、國防和交通運輸等領域。宜鼎以高可靠性、客製化和耐用性著稱，能滿足嚴苛環境下的應用需求。

投資亮點

• 工業4.0和物聯網需求：隨著工業自動化和物聯網（IoT）的快速發展，對高可靠性記憶體的需求不斷增加，宜鼎在此領域具備先發優勢。
• 客製化能力：宜鼎提供量身定制的解決方案，能滿足不同行業的特殊需求，增強其市場競爭力。
• 全球市場拓展：公司在歐洲、美洲和亞洲均設有業務據點，積極開拓國際市場，成長潛力可期

編按：本土券商預估，2025 年宜鼎 DRAM 及 NAND Flash 模組出貨量將年增 19% 及 15%，主要得益於工控產業復甦，以及 DRAM 在網通領域市占提升。預期2025年工控產業可望迎來雙位數以上成長，年增幅度將優於手機、PC 及Server 的5%/5%/12%，係因：(1)IPC產業已於1Q24落底，並於2025年持續復甦；(2)美國總統大選結束，對於提升醫療、能源與博奕等高度依賴政策導向之工控產業投資意願將有所助益；(3)2025年為工控Edge AI爆發性成長元年，而DeepSeek出世有助於提高市場對Edge AI領域關注。

記憶體概念股：南亞科（2408）

南亞科成立於 1995 年，總部位於台灣桃園，是台灣最大的 DRAM 製造商。該公司專注於 DRAM 晶片的研發、設計與生產，產品應用於個人電腦、伺服器、行動裝置和消費電子等領域。南亞科與美國美光科技（Micron Technology）長期合作，共同開發先進 DRAM 技術，提升其市場地位。

投資亮點

• DRAM市場回暖：隨著全球經濟復甦和科技需求的增長，DRAM 市場呈現成長趨勢，南亞科技可望受惠。
• 技術升級：南亞積極開發 DDR5 技術，預計在未來的記憶體市場中佔據重要地位。
• 合作夥伴關係：與美光的長期合作為南亞科技提供了技術支持與市場優勢，增強其競爭力。

記憶體概念股：華邦電（2344）

華邦電子成立於 1987 年，總部位於台灣台中，是全球知名的 記憶體解決方案 提供商。該公司生產多種記憶體產品，包括 利基型記憶體、行動記憶體 和 快閃記憶體（NOR Flash），應用於通訊、汽車電子、工業控制和消費電子等領域。華邦以其多元化的產品線和技術實力聞名。

投資亮點

• 多元化產品線：華邦的產品涵蓋多個市場領域，分散單一市場的風險，提供穩定的成長動能。
• 全球市場佈局：公司在美國、日本、中國等地設有業務據點，市場影響力廣泛，具備全球化競爭優勢。
• 持續創新：華邦積極投入研發，推出如 HyperRAM 等高效能、低功耗產品，保持技術競爭力。

記憶體概念股：旺宏（2337）

旺宏電子是台灣知名的非揮發性記憶體供應商，主要以 NOR Flash 為主。這家公司在半導體記憶體技術上有深厚的技術積累，產品廣泛應用於消費電子、汽車電子、工業控制及各類嵌入式系統中。旺宏憑藉其成熟的製程和穩定的產品品質，在全球市場中擁有一定份額和長期客戶關係。

投資亮點：

• 技術專注與利基市場： NOR Flash 市場雖然規模較小（約占全球記憶體市場 3%左右），但由於應用領域特定，產品毛利通常較高且客戶黏著度強。
• 長期合約與穩定收益： 旺宏產品多以長期合約方式供貨，穩定的出貨和收益能降低市場波動風險。
• 技術創新與客製化能力： 公司持續在製程和產品設計上投入研發，有望開拓新興應用（例如汽車電子和物聯網領域），提升未來成長性。

記憶體概念股：威剛（3260）

威剛是全球知名的記憶體模組和儲存產品製造商，產品線包括 DRAM 模組、固態硬碟（SSD）、USB 隨身碟、記憶卡等。憑藉著出色的產品設計、品牌行銷與全球銷售網絡，威剛在消費性電子市場中具有相當高的知名度和市場佔有率。

投資亮點：

• 品牌與全球市場： 威剛以品質和創新著稱，產品遠銷海外，市場分散風險較低。
• 產品線多元化： 從記憶體模組到儲存裝置，產品覆蓋消費級和商用市場；隨著 SSD 與高階記憶體需求上升，品牌形象進一步強化。
• 技術升級與市場需求： 隨著 PC、筆記本及數據中心對 DDR5、LPDDR5 等新型 DRAM 模組需求的增長，威剛有望受益於技術升級帶來的市場利潤提升。

記憶體概念股：創見（2451）

創見科技為台灣的記憶體與儲存解決方案大廠，主要產品涵蓋 USB 隨身碟、固態硬碟、記憶卡及外接儲存設備等。創見歷經多年市場耕耘，產品以穩定、兼容性好著稱，在全球範圍內擁有廣泛的客戶群。

投資亮點：

• 穩定的產品品質： 以高可靠性及良好兼容性建立市場信任，尤其在消費市場和嵌入式應用中具有競爭優勢。
• 多元市場佈局： 除了消費市場，創見也在企業級儲存、工業應用等領域有所佈局，業務分散降低風險。
• 品牌與市場份額： 長期的品牌經營和成熟的銷售網絡，使得創見在全球市場上擁有穩固的地位，有助於未來營收穩健成長。

記憶體概念股：力成（6239）

力成科技主要專注於記憶體封測與模組組裝領域，屬於記憶體產業供應鏈中的中游企業。力成在 DRAM 及其他記憶體封裝技術上具有豐富經驗，產品主要供應給上游晶片製造商及下游模組廠。公司以成本控制和技術穩定為優勢，在市場周期中通常扮演“穩定器”的角色。

• 產業位置穩固： 作為封測公司，力成受整個記憶體市場供需變化影響較大，但同時在市場繁榮時能夠分享上游利潤。
• 技術與規模效應： 公司在封裝技術上不斷創新，並隨著規模擴大降低成本，這有助於在市場價格回升時獲得更高毛利。
• 景氣循環中的逆勢表現： 在記憶體市場進入景氣復甦期時，下游模組廠與通路商的需求增加，力成作為關鍵封測環節，往往能夠受惠於整個產業鏈的正向循環。

結論＆未來看法

記憶體屬於大宗商品市場，具有高度週期性，價格和營收往往受供需關係影響極大，當市場供大於求時，價格大幅下跌，導致廠商獲利急降；反之，需求旺盛時價格又會迅速上漲，這種周期性波動使得投資者需承受較大的市場不確定性，故投資記憶體產業，一定要週期循環、產品報價狀況。

依據目前產業趨勢，記憶體產業未來有望在 2025Q2 進入上行週期，投資人可以留意相關記憶體概念股，截至 2025/3/12，目前 NAND  Flash 報價已有落底起漲趨勢，DRAM 目前還沒看到明顯漲價趨勢，後續持續追蹤，是否兩項產品皆在 2025Q2 都有明顯漲價趨勢。

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