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產業
深耕光刻領域，市佔率絶對領先。艾司摩爾（ASML, ASML-US）是全球最大的半導體光刻機設備及服務提供商，在細分領域具備壟斷地位。總部位於荷蘭 Veldhoven，是飛利浦 (Phillips,LIGHT-NL) 與艾司摩爾於 1984 年合資創立，原稱 Advanced Semiconductor Material LithographyHolding N.V.。
1995 年公司在 NASDAQ 與阿姆斯特丹交易所上市，2001 年更名為艾司摩爾。公司技術實力在光刻設備領域領先，45nm 以下的高階光刻機的市場中，佔據 80% 以上的份額，尤其在極紫外光 (EUV) 領域，目前處於壟斷地位。在 2017 年，公司營收達 67 億歐元，淨利潤 15 億歐元，員工總數約有 1 萬 6500 人，其中研發超過 6000 人。
光刻設備是半導體關鍵製程，公司推動了產業技術演進。光刻 (lithography) 設備是一種投影曝光系統，由紫外光源、光學鏡片、對準系統等零件組裝而成。在半導體製作過程中，光刻設備會投射光束，穿過印著圖案的掩模及光學鏡片，將線路圖曝光在帶有光感塗層的矽晶圓上；通過蝕刻曝光或未受曝光的部份來形成溝槽，然後再進行沉積、蝕刻、摻雜，架構出不同材質的線路；此製程被一再重複，就能將數以十億計的 MOSFET 或其他晶體管，建構在矽晶圓上，形成一般所稱的整合電路。
雙工作台與浸沒式設備是發展轉折點。公司在 1986 時推出第一步進式 (stepper) 光刻機，提高掩模的使用效率與光刻精度，將半導體工藝製程向上提升一個台階；在 2001 年，公司推出採用雙工作台的設備，能在矽晶圓在一個工作台進行光刻曝光時，同時將另一片晶圓在第二個工作台進行測量對位，大幅提高工作效率與對位精度，此一設計受到客戶極大青睞，鞏固了公司的市場地位。
而在 2007 年，艾司摩爾配合台積電（2330-TW）的技術方向，推出了 193nm 光源的浸沒式系統，在光學鏡頭與矽晶圓片導入液體作為介質，在原有光源與鏡頭的條件下，能顯著提升蝕刻精度，成為目前高階光刻的主流技術方案，一舉壟斷市場。Nikon (7731-JP) 與 Canon (7751-JP) 原本主推 157nm 光源的乾式光刻，但此一路線為市場所放棄，也成為這兩家公司邁入衰退的重要原因。
專注關鍵環節，研發投入與專業併購形成正向循環。艾司摩爾的研發人員占比將近 4 成，並累計 1 萬個以上專利。相較於 Nikon 及 Canon 內部研發多數零件與技術的模式，艾司摩爾推行零件外包與技術合作開發策略，專注於核心技術與客戶需求，具有較高的方案彈性與效率。
公司先後對光刻的細分領域龍頭進行投資，其中包括在 2000 年收購 Silicon Valley Group，擴展了在美國的研發團隊與生產基地；在 2007 年收購了美國的 Brion，強化了專業光刻檢測與解決方案能力；在 2013 年完成對紫外光源龍頭 Cymer 的收購，以及在 2016 年取得光學鏡片龍頭德國蔡司 (ZEISS) 24.9% 的股份，後兩起對技術供應商的投資，加大了公司在極紫外光領域的領先優勢。
近年營收穩健成長，2017 年進入高週期。在 2012-2016 年，由於半導體產業升級減速，設備產業出現低成長甚至衰退。公司營收增速放緩，但仍維持在 10% 左右的成長率。2016 年下半後，14nm 與 10nm 製程陸續進入量產，公司浸沒式的 DUV 光刻設備需求持續強勁；同時公司推出的 EUV 光刻系統，是 7nm 以下製程的關鍵設備，成為一線晶圓廠的資本支出的重點。
在 2016 年，公司營收達到新高的 67 億歐元 (＋8.1%) ，淨利潤 15 億歐元 (＋5.5%) ；2017 年 Q3 銷售金額 24 億歐元，同比成長 34.8%，全年營收成長率有望突破 25%，較2015 和 2016 年不到 10% 的成長水平有明顯進步。
封面來源：https://goo.gl/NkY6ax
《雪球》授權轉載
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